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超高纯钨靶在集成电路中的应用及其制造工艺研究

作者

  • 李铭铭 宁波江丰电子材料股份有限公司,浙江 宁波 315400

摘要

随着集成电路制程持续向先进节点演进,超高纯钨靶已成为支撑芯片微缩、三维堆叠与高密度互连的关键功能材料,其纯度、致密度与微观组织直接决定薄膜均匀性、器件可靠性与晶圆良品率。文章围绕超高纯钨靶的材料特性、集成电路场景适配应用及全流程制造工艺进行系统研究,重点解析热压烧结、热等静压致密化、焊接、精密加工与成品检测的关键控制要点,明确原材料、温度、压力等核心参数对靶材性能的影响规律,提出适配先进制程的工艺优化路径,以期为高端钨靶国产化制备与集成电路关键材料自主可控提供技术支撑。

引用本文

李铭铭. 超高纯钨靶在集成电路中的应用及其制造工艺研究[J]. 冶金与材料, 2026(10): 65.

出版日期

2026-10-31

期次

栏目

实用技术

页码

65

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